Welcome to the website of the Nanoelectronics Laboratory in Shibaura Institute of Technology.

研究発表

  • HOME »
  • 研究発表

学術論文(学術雑誌掲載、査読有)

  1. H. Miyazaki, R. Matsumoto, M. Katagiri, T. Yoshida, K. Ueno, T. Sakai, and A. Kajita, “MoCl5 intercalation doping and oxygen passivation of submicrometer-sized multilayer graphene”, Jpn. J. Appl. Phys. 56 (2017) 04CP02.
  2. Md. S. Uddin, H. Ichikawa, S. Sano, and K. Ueno, “Improvement of multilayer graphene crystallinity by solid-phase precipitation with current stress application during annealing”, Jpn. J. Appl. Phys. 55 (2016) 06JH02.
  3. K. Ueno, S. Fujishima, M. Yamashita, and A. Mitsumori, “Reliability tests of electrolessbarriers against copper diffusion under bias-temperature stress with n- and p-type substrates”, Jpn . J. Appl. Phys. 55 (2016) 056501.
  4. K. Ueno, H.Ichikawa, and T. Uchida, “Effect of current stress during thermal CVD of multilayer graphene on cobalt catalytic layer”, Jpn . J. Appl. Phys. 55 (2016) 04EC13.
  5. Y. Uchida, T. Funayama, Y. Kogure, and K. Ueno, “Properties of electrodeposited germanium thin films”, Phys. Status Solidi C 11 (2014) 1661.
  6. K. Ueno, R. Kosugi, K. Imazeki, A. Aozasa, Y. Matsumoto, H. Miyazaki, N. Sakuma, A. Kajita, and T. Sakai, “Bromine doping of multilayer grapheme for low-resistance interconnects”, Jpn. J. Appl. Phys. 53 (2014) 05GC02.
  7. L. A. Razak, D. Tobino, and K. Ueno, “Improvement of Multilayer Graphene Quality by Current Stress during Thermal CVD”, Microelectronic Eng. 120 (2014) 200 [DOI: 10. 1016/j.mee.2013.08009] .
  8. K. Ueno, M. Takagi, H. Yano, T. Wakui, Y. Yamazaki, N. Sakuma, A. Kajita, and T. Sakai, ”Low-Resistance Metal Contacts for Nanocarbon/Cobalt Interconnects”, Jpn. J. Appl. Phys. 52 (2013) 05FD01.
  9. K. Ueno, Y. Karasawa, S. Kuwahara, S. Baba, H. Hanai, Y. Yamazaki, N. Sakuma, A. Kajita, and T. Sakai, “Heat-Resistant Co–W Catalytic Metals for Multilayer Graphene Chemical Vapor Deposition”, Jpn. J. Appl. Phys. 52 (2013) 04CB04.
  10. A. Mitsumori, S. Fujishima, and K. Ueno, “Barrier Integrity of Electroless Diffusion Barriers and Organosilane Monolayer against Copper Diffusion under Bias Temperature Stress”, Jpn. J. Appl. Phys. 51 (2012) 05EB03.
  11. L. Razak, T. Yamaguchi, S. Akahori, H. Hashimoto, and K. Ueno, “Current Induced Grain Growth of Electroplated Copper Film”, Jpn. J. Appl. Phys. 51 (2012) 05EA04.
  12. T. Tanaka, T. Sato, Y. Karasawa, and K. Ueno, “Chemical Vapor Deposition of Nanocarbon on Electroless NiB Catalyst Using Ethanol Precursor”, Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011) 05EF02.
  13. K. Ueno, Y. Shimada, S. Yomogida, S. Akahori, T. Yamamoto, T. Yamaguchi, Y. Aoki, A. Matsuyama, T. Yata, and H. Hashimoto, “Grain Growth Enhancement of Electroplated Copper Film by Supercritical Annealing”, Jpn J. Appl. Phys. 49 (2010) 05FA08.
  14. Y. Kakuhara, S. Yokogawa, and K. Ueno, “Comparison of Lifetime Improvements in Electromigration between Ti Barrier Metal and Chemical Vapor Deposition Co Capping”, Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 04DB08.
  15. T. Osaka, H. Aramaki, M. Yoshino, K. Ueno, I. Matsuda, and Y. Shacham-Diamand, “Fabrication of Electroless CoWP/NiB Diffusion Barrier Layer on SiO2 for ULSI Devices”, J. Electrochem. Soc., 156, (2009) pp. H707-H710.
  16. Y. Kakuhara, S. Yokogawa, M. Hiroi, T. Takewaki, and K. Ueno, “Suppression of Electromigration Early Failure of Cu/Porous Low-k Interconnects Using Dummy Metal”, Jpn. J. Appl. Phys.48 (2009) 096504.
  17. Y. Kakuhara, K. Ueno, “Degradation of Electromigration Lifetime of Cu/Low-k Interconnects by Postannealing“, Jpn. J. Appl. Phys. 48 (2009) 046597.
  18. Y. Kakuhara, N. Kawahara, K. Ueno, and N. Oda, “Electromigration Lifetime Enhancement of CoWP Capped Cu Interconnects by Thermal Treatment”, Jpn. J. Appl. Phys. 47 (2008) pp. 4475-4479.
  19. K. Ueno, A. Kameyama, A. Matsumoto, M. Iguchi, T. Takewaki, D. Oshida, H. Toyoshima, N. Kawahara, S. Asada, M. Suzuki, and N. Oda, “Time-Dependent Dielectric Breakdown Characterization of 90- and 65-nm-Node Cu/SiOC Interconnects with Via Plugs”, Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) pp. 1444-1451.
  20. N. Oda, S. Ito, T. Takewaki, K. Shiba, H. Kunishima, N. Hironaga, I. Honma, H. Nanba, S. Yokogawa, A. Kameyama, T. Goto, T. Usami, K. Ohto, A. Kubo, M. Suzuki, Y. Yamamoto, S. Watanabe, K. Yamada, M. Ikeda, K. Ueno, and T. Horiuchi, “A Robust Embedded Ladder-Oxide/Cu Multilevel Interconnect Technology for 0.13 µm Complementary Metal Oxide Semiconductor Generation”, Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) pp. 954-961.
  21. T. Osaka, N. Takano, T. Kurokawa, T. Kaneko, and K. Ueno, “Characterization of chemically-deposited NiB and NiWB thin films as a capping layer for ULSI application”, Surf. Coat. Technol., 169 (2003) pp. 124-127.

 

 

学術論文(国際会議、査読有)

  1. H. Ichikawa and K. Ueno, “Current enhanced solid phase precipitation (CE-SPP) for direct deposition of multilayer graphene on SiO2 from a Cu capped Co-C layer”, 2017 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference Proceedings of Technical Papers, P-33 (IEEE, 2017) 244-246.
  2. K. Kawamoto, Y. Saito, M. Kenmoku, and K. Ueno, “Novel in-situ passivation of MoCl5 doped multilayer graphene with MoOx for low-resistance interconnects”, 2017 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference Proceedings of Technical Papers, P-36 (IEEE, 2017) 252-254.
  3. N. Azuma, M. Owada, T. Abe, T. Nakada, M. Kubota, and K. Ueno, “A simple test method for electromigration reliability of solder/Cu pillar bumps using flat cables”, 2017 IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference Proceedings of Technical Papers, P-43 (IEEE, 2017) 270-272.
  4. K. Aida, T. Enomoto, H. Arai, K. Yokosawa, and K. Ueno,”Direct deposition of graphene on GaN by thermal CVD at low temperatures”, Proceedings of 2016 International Microprocess and Nanotechnology Conference (MNC), 10P-7-19 (JSAP, 2016).
  5. Md. S. Uddin and K. Ueno, “A noble Schottky diode involving direct deposition of MLG on n-GaN by solid phase reaction”, Proceedings of Advanced Metallization Conference, 26th Asian session (ADMETA Plus) 2016, 7-3 (ADMETA committee, 2016) 2) 94-95.
  6. H. Miyazaki, R. Matsumoto, M. Katagiri, K. Ueno, T. Sakai, and A. Kajita, “MoCl5 intercalation doping and oxygen passivation of submicrometer-sized multilayer graphehe”, Ext. Abst. 2016 Int. Conf. Solid State Devices and Materials (SSDM) 2016, K-4-03 (JSAP, 2016)493-494.
  7. Md. S. Uddin and K. Ueno, “Fabrication of a Schottky diode with direct deposition of multilayer graphene on n-GaN by solid phase reaction”, Ext. Abst. 2016 Int. Conf. Solid State Devices and Materials (SSDM) 2016, K-4-04 (JSAP, 2016)495-496.
  8. K. Kawamoto, H. Miyazaki, R. Matsumoto, M. Kenmoku, Y. Tsukamoto,A. Isobayashi, A. Kajita, T. Sakai, and K. Ueno, “In situ passivation with MoO3 of MoCl5-doped MLG”, Abstract Book of Materials for Advanced Metallization (MAM) 2016, PND-11, pp.173-174..
  9. H. Ichikawa, T. Uchida,  and K. Ueno, “Effect of Current Stress during Thermal CVD of Multilayer Graphene on Cobalt Catalytic Layer”, Ext. Abst. 2015 SSDM (International Conf. on Solid State Devices and Materials), E-1-4, pp. 764-765.
  10. H. Miyazaki, R. Matsumoto, m. Katagiri, D. Nishide, R. Ifuku, M. Takahashi, Y. Yamazaki, T. Matsumoto, N. Sakuma, K. Ueno, T. Sakai, and A. Kajita, “Intercalation Doping with Metal Chlorides in Low-Temperature-Grown Multilayr CVD Graphene for Interconnect Applications”, Ext. Abst. 2015 SSDM (International Conf. on Solid State Devices and Materials), E-1-5, pp. 766-767.
  11. M. S. Uddin, H. Ichikawa, S. Sano, and K. Ueno, “Improvement of Multilayer Crystallinity by Solid Phase Precipitation Applying Current Stress during Annealing”, Ext. Abst. ADMETA 2015 (Advanced Metallization Conference 2015: Asian Session), 7-4, pp. 194-195.
  12. S. Sano, K. Kitamura, Y. Matsumoto, T. Sakai, and K. Ueno, “Uniform Growth of Multilayer Graphene on SiO2 by Solid Phase Precipitation Involving Carbon Doped Cobalt with Copper Capping Layer”, IEEE 2015 IITC (International Interconnect Technology Conf.)/MAM (Materials for Advanced Metallization) Conf. 2015 (Grenoble).
  13. H. Miyazaki, M. Katagiri, M. Takahashi, Y. Yamazaki, D. Nishide, T. Matsumoto, M. Wada, N. Sakuma, K. Ueno, R. Matsumoto, A. Kajita, and T. Sakai, “Resistivity of Graphene Nanowires: Requirements of Quality and Doping for Interconnect Applications”, Ext. Abst. 2014 SSDM (International Conf. on Solid State Devices and Materials), P-4-3, pp. 1050-1051.
  14. Y. Matsumoto, A. Aozasa, R. Kosugi, H. Miyazaki, M. Wada, N. Sakuma, A. Kajita, and T. Sakai, and K. Ueno, “Passivation of Bromine-Doped Multilayer Graphene for Interconnect Applications”, Ext. Abst. ADMETA 2014 (Advanced Metallization Conference 2014: Asian Session) IWAPS Joint Conf., P-17, pp. 72-73.
  15. H. Miyazaki, M. Katagiri, M. Takahashi, Y. Yamazaki, D. Nishide, T. Matsumoto, M. Wada, N. Sakuma, K. Ueno, R. Matsumoto, A. Kajita, and T. Sakai, “Estimation of Requirements for Sub-10-nm-wide Graphene Interconnect”, Ext. Abst. ADMETA 2014 (Advanced Metallization Conference 2014: Asian Session) IWAPS Joint Conf., 4-2, pp. 30-31.
  16. R. Kosugi, K. Imazeki, A. Aozasa, Y. Matsumoto, H. Miyazaki, N. Sakuma, A. Kajita, T. Sakai, and K. Ueno, “Bromine Doping of Multilayer Graphene for Low Resistance Interconnects”, Ext. Abst. ADMETA 2013 (Advanced Metallization Conference 2013: Asian Session), 4-5
  17. H. Miyazaki, M. Katagiri, Y. Yamazaki, M. Suzuki, N. Sakuma, R. Kosugi, K.Ueno, A .Kajita, and T. Sakai, “Width Dependent Resistivity in Multilayer Graphene Nanowires: Importance of Doping in Interconnects”, Abst. 2014 MAM (Materials for Admanced Metallization)
  18. H. Miyazaki, M. Katagiri, Y. Yamazaki, M. Suzuki, N. Sakuma, R. Kosugi, K. Imazeki, K. Ueno, A..Kajita and T. Sakai, “Width Dependent Transport in Multilayer Graphene Interconnects Exploring Ways to Reduce Resistance”, Ext. Abst. 2013 SSDM (2013), C-5-3.
  19. H. Miyazaki, M. Katagiri, Y. Yamazaki, M. Suzuki, N. Sakuma, R. Kosugi, K. Imazaki, K. Ueno, A. Kajita, and T. Sakai, “Electron Transport in Multilayer grapheme interconnects and resistance reduction by intercalation”, 17th International Symp. Intercalation Compounds (ISIC17, 2013), PI-67.
  20. L. Razak, D. Tobino, and K. Ueno, “Improvement of multilayer graphene quality by currentstress during thermal CVD”, Abstract Book of Materials for Advanced Metallization 2013 (2013) pp. 147-148.
  21. M. Yamashita, S. Fujishige, A. Mistumori, and K. Ueno, “ Reliability test of electroless barriers against copper diffusion under bias temperature stress with n- and p-type substrates”, Ext. Abstracts of Advanced Metallization Conference 2012, 22nd Asian Session (2012) pp. 58-59.
  22. M. Takagi, H. Yano, T. Wakui, Y. Yamazaki, N. Sakuma, A. Kajita, T. Sakai, and K. Ueno,”Low-resistance metal contacts to nanocarbon/cobalt interconnects”, Ext. Abstracts of Advanced Metallization Conference 2012, 22nd Asian Session (2012)pp. 124-125.
  23. S. Baba, S. Kuwahara, Y. Karasawa, H. Hanai, Y. Yamazaki, N. Sakuma, A. Kajita, T. Sakai, and K. Ueno, Ext. Abstracts of 2012 Solid State Dev. And Mat. (2012).
  24. M. Takagi, W. Wakui, Y. Karasawa, S. Kuwahara, N. Sakuma, A. Kajita, and T. Sakai, and K. Ueno, “ Fabrication and electrical properties of nanocarbon/metal hybrid interconnects”, Ext. Abstracts of Advanced Metallization Conference 2012, 21st Asian Session (2011)pp. 134-135.
  25. L. Razak, T. Yamashita, S. Akahori, H. Hashimoto, and K. Ueno, “Current induced grain growth of electroplated copper film”, Ext. Abstracts of Advanced Metallization Conference 2012, 21st Asian Session (2011) pp. 94-95.
  26. A. Mitsumori, S. Fujishima, and K. Ueno, “Barrier reliability evaluation of electroless diffusion barriers and organosilane monolayer by bias temperature stress (BTS) tests”, Ext. Abstracts of Advanced Metallization Conference 2012, 21st Asian Session (2011) pp. 88-89.
  27. T. Tanaka, T. Sato, Y. Karasawa, and K. Ueno, “Chemical vapor deposition of nanocarbon on electroless Ni-B alloy catalyst”, Ext. Abstracts of Advanced Metallization Conference 2010, 20th Asian Session (2010)pp. 118-119.
  28. K. Ueno, “Material and process challenges for interconnects in nanoelectronics era (invited)”, Proc. 2010 International Symp. VLSI Tech., Systems, and Applications (IEEE, 2010) pp. 64-65
  29. .Y. Shimada, S.Yomogida, S. Akahori, T. Yamamoto, T. Yamaguchi, K.Aoki, A. Matsuyama, T. Yata, H. Hashimoto, K. Ueno, “Enhanced grain growth of electroplated copper film by annealing in supercritical CO2 and H2”, Ext. Abstracts of Advanced Metallization Conf. 2009 (2009) pp.72-73.
  30. K. Ueno, K. Shimotani, Y. Shimada, S. Yomogida, T. Takeshita, A. Hashimoto, and T. Yata, “Grain growth of electroplated copper film by alternative annealing methods”, Conf. Proc. AMC XXIV (MRS, 2009) pp. 283-287.
  31. M. Yoshino, H. Aramaki, I. Matsuda, T. Osaka, K. Ueno, and Y. Shacham-Diamand, “Electroless deposition on the insulators by using Pd immobilized layer of organic molecules”, Meeting Abstracts Electrochem. Soc., 802 (2008).
  32. H. Aramaki, M. Yoshino, I. Matsuda, K. Ueno, Y. Shacham-Diamand, and T, Osaka, “Elecroless NiB liner on organosilane layers”, Advanced Metallization Conf. 2008, Asian Session (2008)pp. 108-109.
  33. Y. Kakuhara, N. Kawahara, K. Ueno, and N. Oda, ”Key mechanism for improved EM lifetime of CoWP capped Cu interconnects”, Extended Abstracts of 2006 Int. Conf. Solid State Dev. And Mat. (JSAP, 2006) pp. 144-145.
  34. N. Kawahara, M. Tagami, B. Withers, Y. Kakuhara, H. Imura, K. Ohto, T.Taiji, K. Arita, T. Kurokawa, M. Nagase, T. Maruyama, N. Oda, Y. Hayashi, J. Jacobs, M. Sakurai, M. Sekine, and K. Ueno, “A novel CoWP cap integration for porous low-k/Cu interconnects with NH3 plasma treatment and low-k top (LKT) dielectric structure”, Proc. 2006 International Interconnect Technology Conference (IEEE, 2006) pp. 152-154.
  35. T. Usami, T. Ide, Y. Kakuhara, Y. Ajima, K. Ueno, T. Maruyama, Y. Yu, E. Apen, K. Chattopadhyay, B. van Schravendijk, N. Oda, and M. Sekine, “Highly reliable interface of self-aligned CuSiN process with low-k SiC barrier dielectric (k=3.5) for 65nm node and beyond”, Proc. 2006 International Interconnect Technology Conference (IEEE, 2006) pp. 125-127.

国内学会発表

  1. 上野 和良, 「長期保管メモリのための高信頼配線技術」, 第64回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集(2017 パシフィコ横浜)15p-304-1.
  2. 阿部 拓実, 笹内 駿, 上野 和良 「2ゾーンCVDによる銅上へのナノカーボンの低温堆積」, 第64回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集(2017 パシフィコ横浜)15p-304-10.
  3. G. Ploybussara, K. Ueno, S. Rardchawadee, “The influence of different bit patterns exposure on TMR read head”, .第64回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集(2017 パシフィコ横浜)14p-P10-38, 09-070.
  4. 川上 尚晃, 富田 貢丞, 青笹 明彦, 相田 航, 上野 和良,「常圧熱CVDを用いたNiB触媒によりBドープCNTの形成」 第77回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集(2016, 朱鷺メッセ)15-015.
  5. 相田 航, 榎本 学祥, 新井 秀樹, 横澤 孝典, 上野 和良、「熱CVDによるGaN表面への直接ナノカーボン成長の低温化」, 第77回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集(2016, 朱鷺メッセ)15-037.
  6. 見目 宗大, 市川 博康, 上野 和良, 「Cuキャップ層を持つCo触媒からの固相析出による多層グラフェン形成(2)」,  第77回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集(2016, 朱鷺メッセ)15-038.
  7. 阿部 拓実, 上野 和良, 「単層グラフェンによる銅の耐湿性向上の信頼性試験」,  第77回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集(2016, 朱鷺メッセ)15-056.
  8. 市川 博康, 見目 宗大, 上野 和良, 「Cuキャップ層を持つCo触媒からの固相析出による多層グラフェン形成」, 第80回半導体・集積回路シンポジウム (2016, 東京理科大学森戸記念館)P-8.
  9. 榎本 学祥, 松島 佑将, 上野和良, 「熱CVDによるGaN表面への直接グラフェン成長」,  第76 回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集(2015, 名古屋国際会議場)12-168.
  10. 我妻 直紀, 大和田 岬, 阿部 拓実, 中田 勉, 久保田 誠, 上野 和良,  「フラットケーブルを用いたはんだバンプのエレクトロマイグレーション試験」,  第76 回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集(2015, 名古屋国際会議場)12-240.
  11. 富田 貢丞, 青笹 明彦, 松本 勇士, 相田 航, 川上 尚晃, 山崎 雄一, 酒井 忠司, 梶田 明広, 上野 和良, 「常圧熱CVDによるカーボンナノチューブの形成」,  第76 回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集(2015, 名古屋国際会議場)15-122.
  12. 河本 啓輔, 森 裕太, 松本 勇士, 宮崎 久生, 酒井 忠司, 梶田 明広, 上野 和良, 「臭素ドープ多層グラフェンの安定性」,  第76 回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集(2015, 名古屋国際会議場)15-156.
  13. 市川 博康, 内田 昂紀, 上野 和良, 「熱CVD中の電流印加による多層グラフェンの膜質改善」,  第76 回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集(2015, 名古屋国際会議場)12-132.
  14. 「熱CVDによるGaN表面への直接グラフェン成長」,  第76 回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集(2015, 名古屋国際会議場)12-168.
  15. 佐野 翔太, 北村 啓太, 松本 勇士, 酒井 忠司, 上野 和良,  「Cuキャップ層を持つCo触媒からの固相析出による多層グラフェン形成」,  第62 回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集(2015, 東海大学湘南キャンパス)15-008.
  16. 青笹 明彦, 富田 貢丞, 松本 勇士, 西出 大亮, 佐久間 尚志, 梶田 明広, 酒井 忠司, 上野 和良, 「無電解めっきNiBを用いた熱CVDによるナノカーボンの形成」,  第62 回応用物理学会春季学術講演会 講演予稿集(2015, 東海大学湘南キャンパス)15-003.
  17. 内田昂紀, 馬場祥太郎, 矢野裕晃, 佐久間尚志, 梶田明広, 酒井忠司, 上野和良, 「配線応用のためのエタノール原料を用いたCo触媒上のグラフェン成長」, 2014年電気化学秋季大会 (2014 北海道大学) 1I21.
  18. 18) 松本勇士, 青笹明彦, 小杉諒佑, 宮崎久生, 和田真, 佐久間尚志, 梶田明広, 酒井忠司, 上野和良, 「臭素ドープ多層グラフェン配線のためのパッシベーション膜の検討」,  第75 回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集(2014 秋, 北海道大学)13-125.
  19. 19) アルスバイエ ラーエド, 山下諒, 上野和良, 「炭素を用いたCu拡散抑制の検討」,  第75 回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集(2014 秋, 北海道大学)13-077.
  20. 20) 小杉 諒佑, 今関 兼也, 松本 勇士, 青笹 明彦, 宮崎 久生, 佐久間 尚志, 梶田 明広, 酒井 忠司, 上野 和良, 「臭素ドーピングによる剥離HOPGのフェルレベル変化」, 第74 回応用物理学会秋季学術講演会 講演予稿集(2013 秋, 同志社大学)17-117.
  21. ムハマドリズアンビンアワン;上野和良「電流を印加した熱CVD法によるナノカーボン成長」第60回応用物理学会学術講演会予稿集 (2013) 17-015.
  22. 今関兼也;小杉諒佑;若井貴史;宮崎久生;佐久間尚志;梶田明広;酒井忠司;上野和良「剥離した高配向熱分解グラファイトへの臭素添加の検討」第60回応用物理学会学術講演会予稿集(2013)17-019.
  23. 矢野裕晃;高木政志;涌井太一;山崎雄一;佐久間尚志;梶田明広;酒井忠司;上野和良「ナノカーボン/Co配線への低抵抗金属接触の形成」第73回応用物理学会学術講演会講演予稿集(2012) 13-101.
  24. 桑原覚;馬場祥太郎;唐澤裕介;花井仁司;山崎雄一;佐久間尚志;梶田明広;酒井忠司;上野和良「耐熱性Co-W触媒を用いた多層グラフェンCVD」第73回応用物理学会学術講演会講演予稿集(2012) 13-088.
  25. 涌井太一;高木政志;太田晴之;佐久間尚志;梶田明広;酒井忠司;上野和良「ナノカーボン/Co配線の作製と電気特性」第72回応用物理学会学術講演会講演予稿集(2011) 13-108.
  26. ラザク・リヤナ;山口貴雅;上野和良「電流ストレスによるめっきCu薄膜の粒成長:添加剤濃度依存性」第72回応用物理学会学術講演会講演予稿集(2011) 13-107.
  27. 青木和慶;蓬田茂;伊藤寛征;中島里絵;池野昌彦;上野和良「超臨界アニールによるめっき銅膜の粒成長(4)EBSDによる粒観察」第72回応用物理学会学術講演会講演予稿集(2011)  13-016
  28. 唐澤裕介;桑原覚;佐久間尚志;梶田明広;酒井忠司;上野和良「熱CVD法によるナノカーボン成長の触媒金属依存性」第72回応用物理学会学術講演会講演予稿集(2011)17-011.
  29. 伏島雅;今関兼也;高木政志;佐久間尚志;梶田明広;酒井忠司;上野和良「ナノカーボン薄膜への不純物添加の検討」第72回応用物理学会学術講演会講演予稿集(2011)17-010.
  30. 石原由梨;五十嵐智;小林大輔;野平博司;上野和良;廣瀬和之「XPS時間依存性測定法によるSiO2/Si界面の電荷トラップ密度の面方位依存性の評価」第58回応用物理学関係連合講演会講演予稿集(2011).
  31. 角井基秀;前田高広;上野和良「電解めっき法によるゲルマニウム薄膜の形成と熱的安定性」第58回応用物理学関係連合講演会講演予稿集(2011).
  32. 田中享;佐藤智美;唐澤裕介;上野和良「無電解めっきによるNiB合金触媒上へのナノカーボン成長」第71回応用物理学会学術講演会講演予稿集(2010).
  33. 青木和慶;蓬田茂;松山亜紀子;矢田隆司;上野和良「超臨界アニールによるめっき銅膜の粒成長(3)圧力及び膜厚依存性」第71回応用物理学会学術講演会講演予稿集(2010).
  34. 三ツ森章祥;小山郁弥;吉野正洋;逢坂哲弥;上野和良「BTS試験を用いた無電解めっきバリア膜のバリア性評価」第71回応用物理学会学術講演会講演予稿集(2010).
  35. 太田晴之;田中享;唐澤裕介;涌井太一;長瀬良二;上野和良「熱CVD法によるナノカーボン堆積のNi触媒依存性」第71回応用物理学会学術講演会講演予稿集(2010).
  36. 山口貴雅;下谷耕一朗;石原由梨;赤堀誠至;橋本秀樹;上野和良「電流ストレスによるめっきCu膜の粒成長における不純物の影響」第70回応用物理学会学講演会講演予稿集(2009) 2巻761.
  37. 島田裕至;蓬田茂;飯田紘史;橋本亜紀子;矢田隆司;上野和良「超臨界アニールによるめっき銅膜の粒成長(2)」第56回応用物理学関係連合講演会講演予稿集(2009) 2巻864.
  38. 古野博章;横島時彦;青柳昌宏;上野和良「実装配線用Cu/ポリイミド構造の熱的安定性(2)」第56回応用物理学関係連合講演会講演予稿集(2009) 2巻861.
  39. 下谷耕一朗;鈴木成人;上野和良「第56回応用物理学関係連合講演会講演予稿集」第56回応用物理学関係連合講演会講演予稿集(2009) 2巻864.
  40. 島田裕至;上野和良;蓬田 茂;矢田隆司;橋本亜紀子「超臨界アニールによるめっき銅膜の粒成長」表面技術協会第119回講演大会講演要旨集(2009) 97.
  41. 島田裕至;蓬田茂;矢田隆司;上野和良「超臨界アニールによるめっき銅膜の粒成長」先端ナノ・オプト・バイオ材料ワークショップProceedings(明治大学,2009)32.
  42. 古野博章;横島時彦;青柳昌宏;上野和良「実装配線用Cu/ポリイミド構造の熱的安定性」先端ナノ・オプト・バイオ材料ワークショップProceedings(明治大学,2009)40.
  43. 上野和良「集積回路配線技術の課題とアプローチ(招待講演)先端ナノ・オプト・バイオ材料ワークショップProceedings(明治大学,2009)5.
  44. 下谷耕一郎;竹下貴登;鈴木成人;上野和良「電流ストレスによるめっき銅膜の粒成長」先端ナノ・オプト・バイオ材料ワークショップProceedings(明治大学,2009)27.
  45. 佐藤智美;小山郁弥;荒巻仁志;吉野正洋;上野和良;Y. Shacham-Diamand;逢坂哲彌「無電解めっきによる微細Cu配線用CoWP・NiBバリア膜」先端ナノ・オプト・バイオ材料ワークショップProceedings(明治大学,2009)36.
  46. 下谷耕一郎;竹下貴登;鈴木成人;上野和良「電流ストレスによるめっき銅膜の粒成長」第69回応用物理学会学術講演会講演予稿集(2008) 2巻727.
  47. 島田裕至;蓬田茂;矢田隆司;上野和良「超臨界アニールによるめっき銅膜の粒成長」第69回応用物理学会学術講演会講演予稿集(2008) 2巻727.
  48. 佐藤智美;小山郁弥;荒巻仁志;吉野正洋;上野和良;Y. Shacham-Diamand;逢坂哲彌「無電解めっきによる微細Cu配線用CoWP/NiBバリア膜」第69回応用物理学会学術講演会講演予稿集(2008) 2巻726.
  49. 古野博章;横島時彦;青柳昌宏;上野和良「実装配線用Cu/ポリイミド構造の熱的安定性」第69回応用物理学会学術講演会講演予稿集(2008) 2巻725.
  50. 上野和良;松澤昭「配線の微細化と信頼性課題(招待講演)」第68回応用物理学会学術講演会講演予稿集(2007)2巻733.
  51. 上野和良「集積回路配線技術の動向(基調講演)」日本化学会第87春季年会(2007)講演予稿集(2007)
  52. 上野和良「集積回路配線技術の動向と展望(基調講演)」日本機械学会関東支部第13期総合講演会講演論文集(2007)217.
  53. 上野和良「集積回路デバイスプロセスの現状と将来(基調講演)」2006年精密工学会春季大会講演予稿集(精密工学会、2006)499.

 

解説

  1. 上野和良「半導体集積回路の配線に用いる銅めっき膜の不純物」表面技術63巻4号(表面技術協会, 2012)pp.227-232.
  2. 上野和良;島田裕至;青木和慶;蓬田茂;赤堀誠至;山本智彦;山口貴雅;松山亜紀子;矢田隆司;橋本秀樹「超臨界流体中アニールによるめっき銅膜の改質」表面技術61巻8号(表面技術協会,2010)pp.583-586.
  3. 上野和良「微細Cu配線プロセスにおける成膜技術の現状と課題」表面技術49巻11号(表面技術協会, 1998)pp.1171-1175.
  4. 上野和良「ULSI配線技術の動向」表面技術48巻11号(表面技術協会, 1997)pp.1050-1053.

 

書籍

  1. 上野 和良「半導体・MEMSのための超臨界流体(近藤英一編著)」(コロナ社, 2012年9月) 2章2.1分担執筆、pp.40‐53.
  2. 上野 和良「金属微細配線におけるマイグレーションのメカニズムと対策(新宮原正三監修)」(S&T出版, 2006年12月) 第11章分担執筆、pp.139‐149.
  3. 上野 和良「電子材料ハンドブック」(朝倉書店, 2006年11月) 材料機能複合化プロセス11.6.3ダマシン分担執筆、pp.75-77.
  4. 上野 和良「めっき最新技術 ~メカニズムの考察と品質向上~」(情報機構, 2006年5月) 第14章 第7節分担執筆、pp.491-499.
  5. 上野 和良「次世代ULSI多層配線の新材料・プロセス技術(吉川公麿監修)」(リアライズ理工センター,2000) 第2章 第1節 分担執筆、pp.27-39.
  6. 新宮原 正三,粟屋 信義,上野 和良,三沢 信裕 編「Cu配線技術の最新の展開」(リアライズ理工センター,1998) 分担執筆、pp.201-206.
  7. 上野 和良「半導体計測評価事典」(サイエンスフォーラム,1994) 第6篇,第1章I-1 分担執筆.

サイト内検索

カテゴリー

過去の記事

アクセス数

  • 28803総アクセス:
  • 21今日のアクセス:
  • 30昨日のアクセス: